在本周的闪存峰会上,三星正在分享其存储技术路线图的详细信息,并展示了几种原型。

去年,三星宣布了第四代3D NAND,64层设计。第四代V-NAND现在正在大规模生产中,并将在未来几个月推出许多产品段。大多数产品将使用256GB或512GB的TLC DIES。与48层第三代V-NAND相比,64层V-NAND提供相同的读取性能,但编写性能高约11%。功耗更大地提高,目前读取操作所需的电流下降12%,而且程序操作所需的电流降低了25%。三星声称他们的64层V-NAND在TLC配置中可以持续7,000到20,000个程序/擦除周期。

三星现在还宣布了他们的第五代V-NAND,它将将图层进一步增加到96层,与设计相对较少。第五代将包括三星's的第一个QLC NAND闪存(每个单元四位),每个模具容量为1TB(128GB)。

除了第五代之外,三星表示,他们可以开始使用像字符串堆叠等技术,将外围逻辑放在内存阵列下,或缩小其闪光灯的水平尺寸。如果图层计数继续增加,则字符串堆叠或多或少是不可避免的,但是当转换将是值得的时,它恰不到了。目前,由于所涉及的额外流程步骤,三星估计将增加生产成本约15%,并对齐第二堆栈3D NAND层将呈现严重的产生挑战。将外围逻辑放在内存阵列下,从英特尔和微米的3D NAND工作得很好,三星估计它可以将自己的模具尺寸减少20-30%。缩小其NAND闪存单元的水平尺寸还提供了一种提高密度并提高每个GB的价格的方法,但该路径导致相同的耐用性和可靠性问题,最终使得Banar NAND成为死端技术。

三星提供了一个关于Z-NAND内存的更新,它们的近期解决方案,用于提供比现有闪存更低的延迟。从长远来看,将需要非闪存持久存储器技术,但通过修改现有的3D V-NAND架构,它们具有提供3的基于SLC的内存µ读取延迟,比其V-NAND闪存快15倍(无论是这样'没有指定与MLC或TLC V-NAND进行比较)。他们的第一个Z-NAND产品,Z-SSD SZ985,提供总随机读取延迟小于15µS,比其基于TLC的企业SSD快5.5倍。三星还宣布了第二代Z-NAND,这次基于MLC NAND而不是SLC。这牺牲了一些性能(5µS读取延迟与3相比µs)但提供更好的存储密度。超越Z-NAND进行新的记忆技术,三星正在研究相变存储器和旋转扭矩磁阻RAM(ST-MRAM)。

三星'基于上述V-NAND技术的SSD公告包括128TB 2.5"基于QLC V-NAND的SAS SSD。对于此驱动器,Samsung将在每个包装中堆叠32个管道,每个BGA设备共4TB。

三星也预览了他们所指的建议新的企业SSD表格因素"NGSFF"目前。这种形式因子使用30.5mm的110mm PCB,比最常用的M.2形状因子宽大宽,足够宽以容纳两排闪存包。 PCB安装在金属载体上,允许驱动器用于新的热插拔背板。三星正在演示参考1U服务器设计代码"Mission Peak"通过在NGSFF形状因子中使用36 PM983 SSD,每个容量为576TB,每个容量为16TB容量。这种形式因素的动机和益处与英特尔相同's newly announced "Ruler"形式因素:M.2提供了很大的密度但是'T热插拔,高容量2.5"当它们在封闭的15mm案例内堆叠两个PCB时,SSD很难有效地冷却。三星尚未提到他们是否打算参与将NGSFF制成行业标准。

驱动器三星使用的是NGSFF形状因子是PM983。这个SSD上的控制器是三星'S凤凰,可能是距离零售960系列和三星的Polaris Controller的继承者'最近的其他M.2 NVME SSD。

三星在存储技术堆栈中移动略高,正在为企业SSDS开发新的专业软件界面。三星而不是使用基于块的寻址 'S PM983K介绍了类似于许多NoSQL数据库使用的内容的键/值存储界面。三星声称这允许与标准PM983上的运行RocksDB相比,实现显着的性能缩放改进,并且它导致写入放大的巨大减少。三星人和'T讨论了键值接口的低级细节,但它可以使用NVME 1.3指令特征实现,这将使三星成为可轻松的标准化路径。

与键/值接口,三星分开'S企业SSD现在正在采用NVME 1.3控制器内存缓冲区功能,并实现已批准的下一个NVME标准的IO确定信息功能。该功能允许将SSD分成位于物理分离的NAND芯片和通道上的名称空间集中,使得在一个集合上的操作将无法阻止另一组上的操作。

画廊: 三星 FMS2017

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6评论

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  • BullWinkle J Moose. - 2017年8月9日星期三 - 关联

    我想到了850职业的Big Newegg销售'S表示来自三星的东西

    任何人都需要128"TB" drive?
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  • BullWinkle J Moose. - 2017年8月9日星期三 - 关联

    "它们具有基于SLC的内存,提供3µS读取延迟,比V-NAND闪存快15倍"
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    我希望他们会像这样卖掉我们的启动驱动器!!!!!!!
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  • Magichands8. - 2017年8月9日星期三 - 关联

    It'LL非常有趣,看看这些发展如何在明年左右滴入消费者空间。如果它们可以降低每个GB的成本,它可能基本上标记磁性硬盘结束的开始,以便定期使用消费者使用。不能'据我所知,T很快发生'有关。我可能实际上有真正的理由升级。 回复
  • stoatwblr. - 2017年8月21日星期一 - 关联

    磁力驱动器已经有效地在1TB下的消费市场中死亡。
    只有El-Depero系统现在只有小旋转器。
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  • SydneyBlue120d. - 2017年8月10日星期四 - 关联

    UFS前面没有更新? 回复
  • dark_complex - 2017年8月11日星期五 - 关联

    如果你去 //www.flashmemorysummit.com/English/Conferen... 并向下滚动到论坛L-32小节,UFS上有一堆演示。 回复

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