本周早些时候我们发布了一篇简短的写作 微米’S新的DDR3L-RS内存。我们没有 ’当时有很多技术细节,但Micron为我们提供了一个机会在手机上与他们聊天,我们能够获得有关DDR3L-RS的更多信息以及其他内存产品。记忆是我们许多人在我们的PC和其他计算设备中授予的东西,但在那里’在市场上的进展比你可能期望的更多。

如果您需要最昂贵的内存,DDR3目前是去的方式。另一方面,如果你’制作移动设备,即使它成本更高,也可以找到使用更少功率的内存。当然,有大量的其他选择落在极端之间的某个地方; Micron为我们提供了以下图表,显示各种内存类型在价格与功率要求方面下降。

从LPDDR3和其他LPDDR产品开始,他们的专业性质是它们的低功耗和更高的成本—考虑大多数平板电脑和智能手机的目前只有1GB LPDDR或更少的方式。主要是因为设备的复杂性;例如,存储器可以集成到SOC中,或者放置在POP包中。结果是,虽然您可以获得LPDDR的最佳功率特性,但体积可以低得多’S通常不用于高批量市,如笔记本电脑和带有8GB或更多RAM的PC。我们没有’t看到任何使用LPDDR的笔记本电脑(至少,不是那我’M意识到),但据报道,英特尔对他们的Ultrabook RoadMaps提供了LPDDR3支持,这将允许改善电池寿命以及更小/更薄的设计。

在频谱的另一端我们有DDR3,商品记忆量低廉的价格通常是主要考虑因素。这些设备是批量生产的所以规模经济以及较困难的目标(例如1.5V和DDR3-1600速度)允许它们达到更低的价格。例如,您可以找到8GB DDR3-1600 CL9 SO-DIMM的套件,约为40美元(DDR3-1333和/或CL11低于35美元)。

在功率效率方面,从DDR3的一个加速是DDR3L,目标1.35V而不是1.5V。电源线性地缩小电压和电流(P = V * I),并且还原电压通常也降低了芯片所需的电流,导致功率拉伸的显着降低。获取将在较低电压下运行的芯片主要是融合的问题,以及过程技术的改进,因此成本与常规DDR3非常相似。坚持前面的例子,如果获得1.35V DDR3L,相同的DDR3-1600 CL9试剂盒的成本约为10%。请注意,大多数DDR3L笔记本电脑套件也将在1.5V下运行精细,但如果您想在1.35V您的情况下运行’LL通常需要一个专门设计用于利用较低电压的笔记本电脑—Apple’S Macbook Prose,例如使用1.35V CL11内存。

跨越LPDDR3和DDR3L之间的线路,我们有微米’s新的DDR3L-RS内存。 RS后缀代表“Reduced Standby”并且通过搭档的过程以及一些额外的功能,Micron能够将系统的待机功耗缩短约25%。 DDR3L-RS还与DDR3标准兼容,所以’在控制器级别没有必要的变化—所有额外的工作都发生在内存设备中。微米不能’T讨论他们各种内存类型的特定价格,但他们确实建议在组件级别DDR3L-RS应该超过DDR3L的成本约为20%。在功率效率方面,Micron提供了以下信息,显示其预期的省电:

One of Micron’在减少待机模式下使用的功率量的备份功能是TCSR:温度控制自刷新。大多数系统被指定为在活动状态下在最多85℃下运行RAM,但在睡眠模式下,温度下降大幅下降并打开门以获得一些额外的功率节省。在微米的情况下’S DDR3L-RS,一旦温度撞击45℃或更小,它们可以减少需要刷新RAM的频率,从而降低功率拉伸。它'还有很重要的是要记住DDR3L-RS赢了'T在主动使用中执行比DDR3L更好;只有当存储器/系统处于待机状态时,才会似乎暗示其福利。

我们应该注意到我们’谈论micron’S特定内存,DDR3L-RS,预计其他主要的记忆制造商(例如海绵,ELPIDA,三星等)将具有类似的RAM技术,尽管它们节省权力的具体细节可能在供应商之间变化。

DDR4这样的未来内存技术怎么样? Micron还讨论了他们的一些即将到来的设计,即将DDR4与我们一起利用,并且与DDR2到DDR3的交换机一样,DDR3到DDR4的变化将需要新的内存控制器,并且不会向后兼容。 DDR4的最大变化之一是标准电压从1.5V(DDR3)降至1.2V,使得甚至DDR3L均节省电量。 Micron还将提供DDR4-RS内存,我们’LL可能会看到产品开始使用这一点(例如一些平板电脑)2012年末/ 2013年初。而英特尔’T正式提出了对Haswell的任何陈述’S内存技术,强调降低功耗的重点将使英特尔从DDR3控制器切换到DDR4的理想时间—我们应该在未来几个月内了解更多。

包裹,显然在那里’s no single “silver bullet”内存技术最适合所有市场。在桌面上为DDR3L或DDR3L-RS支付价格溢价只是为了保存几种权力’T真的是有意义的,在笔记本电脑上,特别是超薄储蓄肯定是值得的。与其他DRAM制造商一样,Micron希望为整个选项提供广泛的DRAM设备。最终结果是客户可以根据成本,外形,功率等选择,并找到其产品的特征和定价的最佳平衡。多年来,记忆产品的边缘已成为剃刀薄,所以任何可以帮助像Micron这样的公司找到一种改善他们的底线的方法显然是他们将追求的东西;目前,超薄计算倡议—平板电脑,超薄,Sleekbooks等—真的推动了内存技术的改进。

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24评论

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  • 莱奥多 - 2012年9月22日星期六 - 关联

    所有低功率的东西来了"next year"继续让我思考Windows 8几乎每年早期(而且也是一年太晚了)。

    I'M诱惑购买今年相对便宜的东西(最低的非原子平板电脑),然后在明年较低的电力出现时节省更好的东西。
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  • Penti. - 2012年9月22日星期六 - 关联

    Windows RT在Office 2013 RT之前发布,因此使用早期设备良好的运气。它'没有今年提供。即使是技术人士也是如此'正如人们不喜欢的那样,它非常实现了如何限制RT.'如果你说展望赢了,甚至相信你't在Windows RT上可用,或者它将具有更差的交换支持,然后是股票的Android,iOS,黑莓等。所以他们不'T了解为什么您会强调8个Pro设备和全功能应用程序。他们不'非常认识到已经部署了MDM(管理)工具在那里为iOS,Android等,它们在Windows Server / Microsoft服务器 - 产品环境中集成了精细,并在大多数情况下处理SharePoint,Exchange,Office-Formats,Lync等更好的是,即使在引入Windows 8,Windows RT和Windows Phone之后,移动Windows产品也会如此。微软必须举起比人们弥补自己的其他优势。硬件isn.'在这里键。你可以做便携的东西。

    他们的竞争对手苹果也将于明年运行Haswell等。它'不像他们会更好地匹配,因为新的东西已经出来了。这里通常较低的电源硬件仅意味着较小的电池。这里没有任何激进的软件,无论是软件还是硬件都可悲。
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  • 冲动 - 2012年9月23日星期日 - 关联

    I'在新的记忆科技,哈斯韦尔/ A15,新的Widi更新和霹雳之间,在新的一年之间,在新的内存科技之间有相同的感觉,这对其中一些早期的8次混合/平板电脑设备来说是更好的时间。我猜'像大多数事情一样,第一个Gen总是有点粗略的草稿(即使是第一个iPhone也是今天智能手机的非常粗略的近似,人们忘了没有App Store等)。 回复
  • 冲动 - 2012年9月23日星期日 - 关联

    I'm真的没有在胜利上销售,特别是丁香小径驾驶它......感觉就像所有方面的妥协。宁可只是用廉价的Nexus设计升级我的Android平板电脑而不是那条路线。较高的敞篷车/混合x86设计迷人我,但我不'认为他们中的任何一个迭代真的会从公园里击中它。 回复
  • Eanazag. - 2012年9月26日星期三 - 关联

    Windows RT在基于ARM的硬件上运行,因此没有三叶草径或原子。想tegra 3。 回复
  • twotwotwo. - 2012年9月23日星期日 - 关联

    我主要购买Pro(目前常春藤桥)平板电脑的理论。他们的重量和电池寿命'更像触摸屏 - 仅超超图形,而不是典型的Android等。他们'重复将在那里定价一些良好的Ultrawtrables。但在一年中,那里'll是今天那么快的人'S,但由于较低功率的英特尔ULV芯片等,整个移动物品都明显更好。和你'D为表面专业人士培养很多。所以,一切都在那里'不仅仅是等待的原因。

    (原子标签可能是'mobile enough'已经,但是...... 800美元,你有一边有的原子上网本,另一侧是手臂平板电脑。原子的东西在某种程度上看起来真的很整洁,但这是一些艰难的数学到胃。)
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  • Eezip. - 2012年9月22日星期六 - 关联

    文章说"电源线性秤与电压线性缩放", but that'不真实。 P = v ^ 2 / r,因此电源尺度呈指数级电压。因此,电压的小降低具有更大的功耗降低。 回复
  • Eezip. - 2012年9月22日星期六 - 关联

    我可能更清楚。在考虑p = i * v时,电源可以线性缩放,但它'如果存储器的负载阻抗(并且因此电流消耗)随着电压的变化而变化,则不对我不清楚。我怀疑电流相对平坦,并且通过在更高的电压下运行(更高的温度泄漏)的温度增加而受到更多的影响。

    http://www.powersystemsdesign.com/performance-vs-p... 例如,在将1.35V至1.5V至1.5V时,州的功率降低了20%。 1.35V为1.5V的90%,然后显示电压的10%降低导致功率降低20%。
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  • Eezip. - 2012年9月22日星期六 - 关联

    http://www.micron.com/~/media/Documents/Products/T... 在第13页,证实了我的原始帖子。通过说减小电压通过相同的量减少电流,这意味着存储器的负载电阻几乎是固定的。因此,P = V ^ 2 / R是正确的方程,电源不能与电压线性缩放。

    I'm finding out there'没有办法编辑帖子。嘘。
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  • Zink. - 2012年9月22日星期六 - 关联

    哇,从微米的右边找到了良好的工作。它'通过爱好者,CPU权力与电压呈指数相关但我不是'T 100%确定内存的行为如何。

    1.5V至1.35V,功率拉伸减少了19%。
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